□ 電流-電壓（IV）、電容-電壓（CV）、脈沖IV測(cè)試等全面功能；

□ 電流測(cè)量分辨率ZUI高0.1 fA，測(cè)試精度30 fA；

□ IV-t測(cè)試模式，zui快采樣率不低于65 us/點(diǎn)；

□ 支持脈沖模式下的最短脈沖寬度為10 ns；

□ 測(cè)試功能：IV、IV-t、PIV (脈沖IV)、Super-PIV (10 ns sampling)CV、阻抗、1/f (100 KHz)、Super-1/f (1 MHz)、Solar cell、FET、BJT、EL等  。

□ 高精度和高分辨率的測(cè)量能力；

□ 快速測(cè)量和分析，支持多種測(cè)量模式；

□ 模塊化設(shè)計(jì)，易于升級(jí)和擴(kuò)展：配置＞10個(gè)插槽，支持zui大吸收電流至4A；

□ 適用器件、材料，有源/無源元器件等類型的電子器件；

□ 直觀的用戶界面，簡(jiǎn)化操作流程；

□ 支持自動(dòng)化測(cè)試和數(shù)據(jù)分析。

Ⅰ-Ⅴ 源測(cè)量單元 (SMU)

大功率 SMU：

• 電壓范圍: ±100 V-200V

• 直流電流范圍: ±1A

• 脈沖電流范圍: ±2A±3A

• 最小電流分辨率: 0.1fA

• 最小電壓分辨率: 100nV

• 電流測(cè)量量程: 10fA

• 電壓測(cè)量量程分辨率: 0.5uV

• 直流功率: 20W 或者 40W 可選

• zui大脈沖功率: 480W (zui大電壓 160V, zui大電流 3A)

• 脈沖極限最小寬度: 50 us, 可輸出 50us 脈沖測(cè)試

• 支持四象限測(cè)試

• 支持 2 線或 4 線測(cè)試

• 支持 IV-T 測(cè)試模式，zui快采樣率 550ns 每點(diǎn)，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)點(diǎn)可以設(shè)置為 10K, 1M, 10M 或 100M

中等功率直流 SMU：

• 電壓范圍: ±40-±50 V

• 電流范圍: ±1.5A

• 最小電流分辨率: 400 pA

• 最小電壓分辨率: 4uV

• 電流測(cè)量分辨率: 10fA

• 電壓測(cè)量分辨率: 0.5uV

• 支持四象限測(cè)試

• 支持 2 線或 4 線測(cè)試

小功率直流 SMU：

• 電壓范圍: ±14 V

• 電流范圍: ±40 mA

• 最小電流分辨率: 200 nA

• 最小電壓分辨率: 60 uV

• 電流測(cè)量分辨率: 10fA

• 電壓測(cè)量分辨率: 0.5uV

• 支持四象限測(cè)試

• 支持 2 線或 4 線測(cè)試

• 支持源表數(shù)量：1-5 可選

• 前置放大：可配置前置放大，SMU 電流測(cè)量分辨率提高至 0.1fA

 C-V 多頻電容單元 (CVU)

• AC 阻抗測(cè)量是 CV, C-f, C-t

• 1 kHz- 10 MHz 寬范圍，最小頻率分辨率 1mHz

• 電容測(cè)試精度 (介電損耗 D): @1MHz±0.3%, 10pF@1MHz±0.15%, 10pF@100kHz±0.2%

• ±30 V (60Vpp), 內(nèi)建 DC 偏置范圍可以擴(kuò)展到 ±210V (420V 差分)

• 具有 CV, CV 自動(dòng)測(cè)試測(cè)量功能

• 支持 CV, C-t 電容測(cè)量掃描方

 脈沖式 I-V 超快脈沖測(cè)量單元 (PMU)

• 兩個(gè)獨(dú)立的高速脈沖 IV 源和測(cè)量通道

• 200 MSa/s, 5 ns 樣點(diǎn)間隔

• ±40 V(80V p-p), ±800 mA

• 瞬態(tài)波形捕獲模式

• 任意波形發(fā)生器，10 ns 可編程分辨

高壓脈沖發(fā)生器單元 (PGU)

• 兩個(gè)高速脈沖電壓源通道

• ±40 V(80V p-p), ±800 mA

• 任意波形發(fā)生器，10 ns 可編程分辨率

Ⅰ-Ⅴ/C-V 多通道開關(guān)模塊 (CVIV)

• 在 IV 源和 CV 之間切換，無需抬起探針

• 任意資源 CV 測(cè)量，無需抬起探針

• 支持 ±210 V DC 偏置

1n 噪聲測(cè)試模塊 (FNU)

• 速度 8~10s/bias

• 帶寬 1Hz~100kHz

• 噪聲基底: <120uA@2Hz

• 全帶寬下的測(cè)量偏差 2%